理想模型和实际问题的差别
最近做一个Wafer的变形计算。 因为有实验设备，可以精确的测量实际的形变以确认，测量的精度达到1微米。 自己是做有限元分析的，认为做个形变的计算应该是小菜一碟。 但是实际计算的时候，发现问题重重，比如，各种参数，选定什么样的值比较好？ 对于Wafer来说， 有杨氏模量，有Poisson比，关键是，这些参数还是各向异性的，取近似的时候，取什么样的值？ Wafer是通过真空吸附在一个支架上的，所受的外力就大气压力。那么， 大气压力的作用区域是多大？ Wafer和支架接触的地方，算作真空还是别的？ 关于边界条件，哪里的形变为0？ Wafer自身是有形状的， 并不是绝对平滑的圆盘，这些因素要不要考虑？ 实验的测量中表明这个影响还是蛮大的。 计算的结果总是和实际的测量有不同。这时候，你就开始明白理想模型和实际的问题的差别了。